Большой энциклопедический политехнический словарь - биполярный транзистор

транзистор с тремя чередующимися ПП областями электронного (м) или дырочного (р) типа проводимости, в к-ром протекание рабочего тока обусловлено носителями заряда обоих знаков (электронами и дырками). Различают Б. т.п - р - п- и р - п - р-типа (см. рис.). Средняя область Б. т. (её обычно делают очень тонкой - неск. мкм и менее) наз. базой, две другие - эмиттером и коллектором. База отделена от эмиттера и коллектора р - п-переходами, соответственно эмиттерными коллекторным. Принцип действия Б. т. осн. на управлении потоком неосн. носителей заряда, протекающим через базу. Эмиттерный переход смещён в прямом направлении и обеспечивает инжекцию неосн. носителей заряда, коллекторный - смещён в обратном направлении и обеспечивает собирание неосн. носителей, инжектированных эмиттером. Б. т. изготовляют гл. обр. на основе кремния и германия по планарно-эпитаксиальной технологии (см. Пла-нарная технология). Предназначен для усиления, преобразования и генерирования электрич. колебаний в широком диапазоне частот (до десятков ГГц). Выходная мощность Б. т. обычно до 100 Вт, миним. уровень шумов - до неск. дБ. Схема включения биполярного транзистора: р - область с дырочной проводимостью; п - область с электронной проводимостью; i - сила тока; RH - нагрузочный резистор